普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供较为可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对功率半导体器件测试仪静态参数分析仪感兴趣，欢迎随时保持联系我们！
武汉普赛斯仪表功率半导体器件测试仪静态参数分析仪，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
普赛斯PMST功率器件静态参数检测系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件一直在变化的需求。
普赛斯PMST功率器件静态参数检测系统，最重要的包含测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，和相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不一样的电压、电流等参数，以满足多种测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。
测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，最大支持立即询价您留言后，厂商将第一时间为您服务！*留言标题：
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